Tại Triển lãm & Hội nghịPCIM Châu Âu (PCIM Europe Expo & Conference) năm 2024 tại Đức, nhóm các tác giả đến từ Đại học Cassino và Nam Lazio, Cassino, Ý đã nghiên cứu tính khả thi của các giải pháp rời rạc cho các ứng dụng công suất trung bình. MOSFET SiC được ưa chuộng nhờ hiệu suất cao, tốc độ đóng cắt nhanh và khảnăng tản nhiệt tốt, nhưng dòng điện định mức thường chỉ khoảng 120 A. Với ứng dụng công suất lớn, phải mắc song song linh kiện rời rạc hoặc dùng mô-đun công suất. Mô-đun tối ưu về nhiệt và độ tin cậy nhưng đắt đỏ, cồng kềnh; trong khi giải pháp song song linh kiện rời linh hoạt, tiết kiệm hơn nhưng đòi hỏi thiết kế mạch đối xứng để đảm bảo chia sẻ dòng đồng đều, tránh tổn hao mất cân bằng. Sự mất cân bằng có thể ảnh hưởng đến cả tổn hao dẫn và tổn hao đóng cắt, trong đó tổn hao đóng cắt đặc biệt nhạy cảm với thiết kế mạch điều khiển. Bộ biến đổi DAB đượcđề xuất có bố trí mạch điều khiển cổng đối xứng, sử dụng các MOSFET SiC mắc song song. Bộ biến đổi này được thiết kế để đáp ứng công suất 25 kW, với dải điện áp đầu vào/đầu ra từ 300 đến 600 V. Ngoài ra, nó hoạt động ở tần sốđóng cắt 100 kHz.
Reference: Porpora, Francesco, et al. “Performance analysis of a 25-kw sic-based dual active bridge converter based on parallel-connected devices.” PCIM Europe 2024; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management. VDE, 2024.
DOI: 10.30420/566262027
