Công nghệ silicon carbide (SiC) đang thay đổi ngành điện tử công suất, giúp cải thiện hiệu suất, thiết kế nhỏ gọn và khả năng tản nhiệt trong nhiều ứng dụng. Các nhà sản xuất lớn như Infineon, STMicroelectronics, ROHM, onsemi và Wolfspeed cung cấp các giải pháp SiC dưới dạng linh kiện rời (discrete components), mô-đun công suất (power modules) hoặc die trần (bare dies).
-
Infineon sử dụng thiết kế MOSFET SiC với cấu trúc rãnh (trench) để tối ưu hóa đặc tính RDS(on) và bảo vệ lớp oxide trong quá trình hoạt động.
-
STMicroelectronics cung cấp MOSFET SiC có khả năng chịu nhiệt cao, đặc biệt là cho các ứng dụng trong xe điện (electric vehicles – EV), với các mức điện áp từ 650V đến 2200V.
-
ROHM đã phát triển MOSFET SiC với cấu trúc rãnh (trench structure) thế hệ thứ tư, giúp giảm tổn thất chuyển mạch (switching losses) và cải thiện hiệu suất năng lượng (power efficiency).
-
Onsemi cung cấp MOSFET SiC với điện trở thấp (low RDS(on)), thời gian chuyển mạch nhanh (fast switching time) và hiệu quả cao (high efficiency), đặc biệt trong các ứng dụng công nghiệp và nguồn điện (power supplies).
-
Wolfspeed cung cấp MOSFET SiC với hiệu suất cao, khả năng tản nhiệt tốt và kích thước nhỏ gọn, thích hợp cho các ứng dụng như nguồn điện công nghiệp (industrial power supplies) và trạm sạc xe điện (EV charging stations).
Một bảng so sánh các MOSFET SiC 650V từ các nhà sản xuất này giúp thấy sự khác biệt về các thông số kỹ thuật như điện trở RDS(on), khả năng tản nhiệt (thermal resistance), nhiệt độ hoạt động tối đa (maximum operating temperature), và các đặc tính chuyển mạch (switching characteristics), giúp lựa chọn linh kiện phù hợp cho các ứng dụng như SMPS (switched-mode power supplies), UPS (uninterruptible power supplies), chuyển đổi DC/DC (DC/DC converters), sạc xe điện (EV charging) và inverter điện mặt trời (solar inverters).
https://www.powerelectronicsnews.com/a-quick-comparison-of-silicon-carbide-sic-solutions-across-leading-manufacturers/?fbclid=IwZXh0bgNhZW0CMTEAAR2pxrPujhxwx6nIavDGjISW70l9XUBDRXp79uzJ2dBw7WXMoA29f29a4Ms_aem_VgzQkzaOlOF3uXInOd6noA
https://www.powerelectronicsnews.com/a-quick-comparison-of-silicon-carbide-sic-solutions-across-leading-manufacturers/?fbclid=IwZXh0bgNhZW0CMTEAAR2pxrPujhxwx6nIavDGjISW70l9XUBDRXp79uzJ2dBw7WXMoA29f29a4Ms_aem_VgzQkzaOlOF3uXInOd6noA
